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41.
硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析 总被引:5,自引:2,他引:3
基于参数化的计算机辅助设计(CAD)软件,对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模,以有限元分析软件为工具,进行了谐振器的模态分析,静态分析和谐响应分析,初步揭示了谐振器的静、动态特性,有助于改善设计效率和质量,展示了计算机辅助工程(CAE)技术在微机电系统(MEMS)研究中的重要作用。 相似文献
42.
对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。 相似文献
43.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
44.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
45.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
46.
47.
48.
一种基于三次样条函数求离子浓度的自动算法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一种用三次样条函数模拟双次标准加入法测量方程,直接求解离子浓度的自动算法。比较了三咱不同边界条件下用要池数计算离子浓度的结果。造出节点区间两极端点的二阶导数为零时的三次样条函数为最佳模拟函数。并讨论了该方法在实际分析中误差的来源及消除办法。经对一系列文献数据的验算对比,表明本法完全可代替传统的迭代法和查图法,且能方便地设置在智能化的电位分析系统中。 相似文献
49.
实体造型中的几何约束 总被引:5,自引:0,他引:5
实体造型是一个基于约束的过程,完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示,并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究,提出了基于CSG/GCG/B-rep的模型表示。 相似文献
50.
心电地图仪中工频干扰的一种滤除方法 总被引:1,自引:0,他引:1
在心电地图仪中记录到的体表心电信号往往由于电磁的影响而引进工频干扰.基于体表心电信号中工频干扰的特点,作者提出了一种滤除工频干扰的方法,即就单独—胸导联信号通过提高频谱的分辨率来估计工频干扰的频率;基于最小均方误差准则来估计各导联信号中工频干扰的幅度和相位。文中还给出了该算法的流程图和滤波性能分析。模拟结果表明了该算法的有效性。应用该算法对心电地图仪中的工频干扰进行对消,取得了满意的结果。 相似文献